K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,96 | $6,80 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 and 4 |
| Latencia CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |