K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,96 | $6,80 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 and 4 |
| Latence CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |