K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,80 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulado | 78FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 78 | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Sin halógenos | — | Yes |