K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,80 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 78 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interface | Parallel | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Livre de halogênio | — | Yes |