K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,80 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | 0.175 ns |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |