K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics y H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G8NCJR-VKI |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $50,85 | $4,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tipo de interfaz | Synchronous, parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile | — | Yes |
| Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| Product Family | — | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |