K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCRC por Samsung Electronics y K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCWE
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $12,57 $6,55
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Velocidad de datos 2400 Mbps (PC4-19200) 3200 Mbps
Tensión de alimentación 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
Encapsulado 96-ball FBGA (PBGA96) 96FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C 0C to +85C
Interfaz DDR4 (Double Data Rate, synchronous) Parallel
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Estado RoHS Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Access Time (CAS Latency) — 19 ns
Burst Length — 8
Bank Group Architecture — Yes
On-Die Termination (ODT) — Yes, dynamic ODT with ZQ calibration
Functions — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask
Lead Free — Yes

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