K4AAG085WA-BCRC vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WA-BCRC por Samsung Electronics y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WA-BCRC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,10 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | Parallel, DDR4 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Encapsulado | 78FBGA (78-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Width | 8 bit | — |
| Generation | DDR4 | — |
| Speed Grade Suffix | BCRC | -BCWE |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: maximum data rate (Mbps) for BCRC speed grade] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for BCRC speed grade] | — |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard) | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Family | K4AAG085WA (16Gb 2Gx8 DDR4 family) | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |