K4AAG085WM-BCTD vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCTD por Samsung Electronics y H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCTD | H5ANAG8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $8,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Tipo de interfaz | Parallel (DDR4) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | — |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) |
| Standby Current | — | 30 mA (operating, per distributor listing) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] |