K4AAG085WM-BCTD vs H5ANAG8NBJR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics и H5ANAG8NBJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung
K4AAG085WM-BCTD ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCTD | H5ANAG8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,95 | $8,60 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-78 |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Тип интерфейса | Parallel (DDR4) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | — |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) |
| Standby Current | — | 30 mA (operating, per distributor listing) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] |