K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG085WA-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,00 | $6,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Encapsulado | 78FBGA | 78FBGA (78-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel, DDR4 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | BCRC |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Data Width | — | 8 bit |
| Generation | — | DDR4 |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: maximum data rate (Mbps) for BCRC speed grade] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for BCRC speed grade] |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard) |
| Family | — | K4AAG085WA (16Gb 2Gx8 DDR4 family) |