K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WA-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WM-BCRC por Samsung Electronics y K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $22,60 | $62,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 (SSTL-12) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | -40C to +95C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |