K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WA-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WM-BCRC от Samsung Electronics и K4AAG165WA-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $22,60 | $62,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Интерфейс | DDR4 (SSTL-12) | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | -40C to +95C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Размер памяти | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Тип интерфейса | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |