K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMH9 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYK0 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BMH9 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.5 V compatible) | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (PC3-12800) | 2133 Mb/s per pin |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Estado RoHS | — | Compliant |