K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCMA0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $16,08 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Estado del ciclo de vida | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |