K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCMA0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMMA от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BCMA0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Снято с производства |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $16,08 | $5,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.5 V |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Корпус | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4 Gb |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Без галогенов | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Статус жизненного цикла | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |