K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BHMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $2,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Número de pines | 96 | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |