K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BHMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BHMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,32 | $2,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Корпус | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Количество выводов | 96 | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |