K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Número de pines | 96 | 96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |