K4RAH086VB-BCQK vs K4RBH165VB-BCQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCQK por Samsung Electronics y K4RBH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCQK | K4RBH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $41,02 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps/pin |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | FBGA-82 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to 95C (commercial) | 0 C to +85 C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | BCQK (4800 Mbps) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| Error Correction | — | On-chip (on-die) ECC |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Tensión de alimentación | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] |