K4RAH086VB-BCQK vs K4RBH165VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RBH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Aktiv
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K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH086VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $41,02 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Speicherorganisation 2G x 8 1G x 16
Datenrate 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps/pin
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse FBGA-82 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to 95C (commercial) 0 C to +85 C
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)]
Memory Format DRAM (volatile) —
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speichergröße — 16 Gb
Speed Grade — BCQK (4800 Mbps)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Error Correction — On-chip (on-die) ECC
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Versorgungsspannung — [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount]

Datenblätter & Ressourcen

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