K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH046VM-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH046VM-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ ActivoSamsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH046VM-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $44,55 | $11,35 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 32 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | DDR5 (parallel) | — |
| Encapsulado | FBGA-82 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DRAM |
| Speed Grade | BCWM | DDR5-5600 |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range (per datasheet) | 0 C to 85 C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 2G x 4 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Memory Format | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Sample |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Access Time / CL | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |