K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH046VM-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RBH046VM-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH086VB-BCWM K4RBH046VM-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $44,55 $11,35
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb 32 Gb
Organização da memória 2G x 8 —
Taxa de dados 5600 Mbps 5600 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Interface DDR5 (parallel) —
Encapsulamento FBGA-82 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) DRAM
Speed Grade BCWM DDR5-5600
Temperatura de operação Commercial temperature range (per datasheet) 0 C to 85 C
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Status do ciclo de vida Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Memory Organization — 2G x 4
Memory Interface — Parallel
Memory Format — Volatile
Packaging — Tray
Product Status — Sample
Manufacturer — Samsung Electronics
Access Time / CL — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Fichas técnicas e recursos

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