K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48MEBDX014N Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BIWM por Samsung Electronics y H5CG48MEBDX014N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $41,68 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps per pin | 4800 Mbps |
| Organización de memoria | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: temperature range] | 0C to +95C |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Encapsulado | — | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |