K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48MEBDX014N Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BIWM от Samsung Electronics и H5CG48MEBDX014N от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,85 | $41,68 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps per pin | 4800 Mbps |
| Организация памяти | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: temperature range] | 0C to +95C |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Корпус | — | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Тип интерфейса | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |