K4RAH165VP-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VP-BCWM por Samsung Electronics y K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RAH165VP-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $24,61 $0,00
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Velocidad de datos 5600 Mbps 5600 Mbps
Tensión de alimentación 1.1 V 1.1 V
Encapsulado FBGA-106 106 FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0 to 85 C
Interfaz DDR5 (Double Data Rate 5) DDR5 (parallel, DDR)
Generation DDR5, 16Gb B-die family —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Access Type Synchronous, DLL enabled mode Synchronous
Application Class Mobile, tablet, consumer electronics DRAM —
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Product Status — Mass Production
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Hojas de datos y recursos

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