K4RAH165VP-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH165VP-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $24,61 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 5600 Mbps 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Boîtier FBGA-106 106 FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 to 85 C
Interface DDR5 (Double Data Rate 5) DDR5 (parallel, DDR)
Generation DDR5, 16Gb B-die family —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Access Type Synchronous, DLL enabled mode Synchronous
Application Class Mobile, tablet, consumer electronics DRAM —
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Product Status — Mass Production
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Fiches techniques et ressources

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