K4RBH046VM-BCWM vs K4RBH046VM-BCCP Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH046VM-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH046VM-BCCP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH046VM-BCWM | K4RBH046VM-BCCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $11,35 | $9,60 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 32 Gb | 32 Gb |
| Memory Organization | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 6400 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | DDR5 |
| Memory Format | Volatile | DRAM |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Sample | Sample / Active |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Interfaz | — | Parallel |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Access Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |