K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH086VE-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH086VB-BCQK por Samsung Electronics y K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | DDR5 (CA bus, ODECC) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-82 | 82-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | — |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Estado del ciclo de vida | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |