K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH086VE-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH086VE-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $7,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | DDR5 (CA bus, ODECC) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Boîtier | FBGA-82 | 82-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | — |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Statut du cycle de vie | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |