K4RBH165VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung
K4RBH086VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH165VB-BCWM | K4RBH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,85 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Encapsulado | FBGA-106 | 82-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| On-Die ECC | Yes | Yes (per JEDEC DDR5 specification) |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | Yes | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Velocidad de datos | — | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] |
| Interfaz | — | Parallel, DDR5 |
| Product Status | — | Mass Production |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Technology | — | DDR5 SDRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |