K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH165VB-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,85 | $7,65 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 24 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Encapsulado | FBGA-106 | 82 FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die ECC | Yes | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant | unknown |
| Lead Free | Yes | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Velocidad de datos | — | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Interfaz | — | DDR5 (JEDEC) |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |