K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RBH165VB-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $9,85 | $7,65 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 24 Gb |
| Organização da memória | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Encapsulamento | FBGA-106 | 82 FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die ECC | Yes | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| Status RoHS | Compliant | unknown |
| Lead Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Taxa de dados | — | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Interface | — | DDR5 (JEDEC) |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |