K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,65 | $9,85 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Encapsulado | 82 FBGA | FBGA-106 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | unknown | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| Write CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |