K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,65 | $9,85 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 5600 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Boîtier | 82 FBGA | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| Write CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |