K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RHE165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $9,85
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 16 Gbit
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Velocidad de datos 5600 Mbps —
Tensión de alimentación 1.1 V —
Encapsulado 106 FBGA FBGA-106
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0 to 85 C 0C to +85C
Product Status Mass Production —
Interfaz DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Data Rate Class — DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part)
On-Die ECC — Yes
Write CRC — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Operating Mode — DLL Enabled
Lead Free — Yes
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]

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