K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RHE165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $9,85
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 16 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 5600 Mbps —
Tension d'alimentation 1.1 V —
Boîtier 106 FBGA FBGA-106
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0 to 85 C 0C to +85C
Product Status Mass Production —
Interface DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Data Rate Class — DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part)
On-Die ECC — Yes
Write CRC — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Operating Mode — DLL Enabled
Lead Free — Yes
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]

Fiches techniques et ressources

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