K4S510432D-UC75 vs K4S510432D-UC75T00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4S510432D-UC75 por Samsung Electronics y K4S510432D-UC75T00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4S510432D-UC75 - 512Mb SDRAM 133MHz 54-TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75 ✓ ActivoSamsung Electronics
K4S510432D-UC75T00 - 512Mb SDRAM 133MHz TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75T00 ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | K4S510432D-UC75 | K4S510432D-UC75T00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,90 | $3,20 |
| Tipo de memoria | SDRAM (Synchronous DRAM) | SDRAM - Synchronous DRAM |
| Tamaño de memoria | 512 Mbit | 512 Mbit |
| Organización de memoria | 128M x 4 | 128M x 4 |
| Clock Frequency | 133 MHz | 133 MHz |
| Access Time | 65 ns | 65 ns |
| Tipo de interfaz | LVTTL | — |
| Supply Voltage Min | 3.0 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Technology | CMOS, D-die | CMOS, D-die generation |
| Latencia CAS | 2 or 3 | 3 (at 133 MHz) |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, full page |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Encapsulado | 54-TSOP II (PDSO54, 0.80 mm pitch) | 54-TSOP II |
| Package Dimensions | 0.400 x 0.875 inch (10.2 x 22.2 mm) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Estado RoHS | RoHS compliant | Compliant |
| Number of Terminals | 54 | — |
| Supply Voltage Range | — | 3.0 V to 3.6 V |
| I/O Interface | — | LVTTL |
| Bank Architecture | — | 4 banks |