K4S510432D-UC75 vs K4S510432D-UC75T00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4S510432D-UC75 par Samsung Electronics et K4S510432D-UC75T00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4S510432D-UC75 - 512Mb SDRAM 133MHz 54-TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75 ✓ ActifSamsung Electronics
K4S510432D-UC75T00 - 512Mb SDRAM 133MHz TSOP II | Samsung
K4S510432D-UC75T00 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K4S510432D-UC75 | K4S510432D-UC75T00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,90 | $3,20 |
| Type de mémoire | SDRAM (Synchronous DRAM) | SDRAM - Synchronous DRAM |
| Taille de mémoire | 512 Mbit | 512 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 4 | 128M x 4 |
| Clock Frequency | 133 MHz | 133 MHz |
| Access Time | 65 ns | 65 ns |
| Type d'interface | LVTTL | — |
| Supply Voltage Min | 3.0 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Technology | CMOS, D-die | CMOS, D-die generation |
| Latence CAS | 2 or 3 | 3 (at 133 MHz) |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, full page |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| Boîtier | 54-TSOP II (PDSO54, 0.80 mm pitch) | 54-TSOP II |
| Package Dimensions | 0.400 x 0.875 inch (10.2 x 22.2 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | Commercial temperature range | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | RoHS compliant | Compliant |
| Number of Terminals | 54 | — |
| Supply Voltage Range | — | 3.0 V to 3.6 V |
| I/O Interface | — | LVTTL |
| Bank Architecture | — | 4 banks |