K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9EUGY8S0M-CCK0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics y K9EUGY8S0M-CCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Activo
Samsung Electronics
K9EUGY8S0M-CCK0 K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K9IUGY8J7B-CCK0 K9EUGY8S0M-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Tipo de memoria NAND Flash, 3D V-NAND TLC —
Cell Type TLC (3 bits per cell) TLC (3 bits per cell)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Tipo de interfaz [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] —
Ancho del bus de datos [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] [DATA_NEEDED: FBGA ball count and dimensions]
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Product Type — 3D TLC V-NAND Flash Memory
Density — [DATA_NEEDED: total device density in Gb]
V-NAND Layers — [DATA_NEEDED: layer count]
Interfaz — [DATA_NEEDED: interface type, e.g. Toggle DDR]
Supply Voltage VCC — [DATA_NEEDED: VCC core supply voltage]
Supply Voltage VCCQ — [DATA_NEEDED: VCCQ I/O supply voltage]
Grade Suffix — CCK0 (standard commercial grade)

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