K9JUGY8J5C-BCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9JUGY8J5C-BCK0 por Samsung Electronics y K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Activo
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K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K9JUGY8J5C-BCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Flash EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,00
Tipo de memoria NAND Flash (V-NAND TLC) NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Density 1 Tb —
Cell Type Triple-Level Cell (TLC) TLC (3 bits per cell)
Technology Samsung V-NAND (3D) —
Organización de memoria [DATA_NEEDED: page/block organization] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Interfaz [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Encapsulado [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: program/erase endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Manufacturer — Samsung Electronics
Tipo de interfaz — [DATA_NEEDED: bus interface type]
Ancho del bus de datos — [DATA_NEEDED: data bus width]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code]

Hojas de datos y recursos

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