K9JUGY8J5C-BCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9JUGY8J5C-BCK0 par Samsung Electronics et K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9JUGY8J5C-BCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Flash EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,00
Type de mémoire NAND Flash (V-NAND TLC) NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Density 1 Tb —
Cell Type Triple-Level Cell (TLC) TLC (3 bits per cell)
Technology Samsung V-NAND (3D) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: page/block organization] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Interface [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Boîtier [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: program/erase endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Manufacturer — Samsung Electronics
Type d'interface — [DATA_NEEDED: bus interface type]
Largeur du bus de données — [DATA_NEEDED: data bus width]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code]

Fiches techniques et ressources

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