M25P40-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB Comparación
Comparación detallada lado a lado de M25P40-VMN3PB por Micron Technology y M25P80-VMN3PB por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron
M25P80-VMN3PB ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | M25P40-VMN3PB | M25P80-VMN3PB |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | EEPROM |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,62 | $0,75 |
| Tipo de memoria | FLASH - NOR | FLASH - NOR Memory IC |
| Tamaño de memoria | 4 Mbit (512K x 8) | 8 Mbit (1M x 8) |
| Organización de memoria | 512K x 8 (x1 serial) | 1M x 8 bit |
| Frecuencia de reloj máxima | 75 MHz | 75 MHz |
| Interfaz | SPI Serial | SPI |
| Tensión de alimentación | 2.3 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado / Carcasa | 8-SOIC (3.90 mm width) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tube | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Product Longevity Program | Yes (start date 5/4/2011) | — |
| Sector Size | [DATA_NEEDED: sector organization] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Write Protection | Advanced write-protection mechanisms | — |
| HOLD Pin | Yes | — |
| Technology | CMOS, SLC NOR | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Page Program Time | — | 0.64 ms typ (up to 256 bytes) |
| Encapsulado | — | 8-SO (SOIC-8) |
| Erase Capability | — | Sector erase and bulk erase |
| Write Protect | — | Hardware write protect (W pin) |
| Hold Function | — | Yes (HOLD pin) |
| Access Time | — | 8 ns |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |