M29DW323DB70N3E vs M29W160ET70N3E Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29DW323DB70N3E por Micron Technology y M29W160ET70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ Activo
Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29DW323DB70N3E M29W160ET70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,55 $4,50
Tipo de memoria Flash - NOR NOR Flash (Parallel)
Memory Format FLASH —
Technology FLASH - NOR Memory IC —
Density 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) —
Memory Organization 4M x 8 / 2M x 16 —
Interfaz Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Tensión de alimentación 3 V class (per manufacturer datasheet) 3 V / 3.3 V (nominal)
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado 48-TSOP I 48-TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom (DB variant) Top boot
Byte/Word Organization Select Yes (BYTE pin) —
Applications Domain Embedded code storage / XIP —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: standard pack quantity] —
Tamaño de memoria — 16 Mbit
Organización de memoria — 2M x 8 / 1M x 16
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Bus Width Selection — BYTE# pin, x8 or x16
Sector Protection — Hardware boot block protection
Programming Type — Automatic program and erase
Packing — Tray (RoHS-compliant package, standard packing)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

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