M29DW323DB70N3E vs M29W160ET70N3E 비교
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Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29DW323DB70N3E | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.55 | $4.50 |
| 메모리 유형 | Flash - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 3 V class (per manufacturer datasheet) | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | Top boot |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit |
| 메모리 구성 | — | 2M x 8 / 1M x 16 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |