M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F200FB55N3E2 por Micron Technology y M29F200FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vidaMicron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | M29F200FB55N3E2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,45 | $4,20 |
| Tipo de memoria | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organización de memoria | 256K x 8 / 128K x 16 | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 128 K | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Interfaz | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Packaging | Tray | Tape & Reel (TR) |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Encapsulado | — | 48-TSOP I |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |