M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FB55N3E2 par Micron Technology et M29F200FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vieMicron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29F200FB55N3E2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,45 | $4,20 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 / 128K x 16 | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 128 K | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Interface | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Packaging | Tray | Tape & Reel (TR) |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Boîtier | — | 48-TSOP I |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |