M29F200FB55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FB55N3F2 por Micron Technology y M29F400FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FB55N3F2 M29F400FB55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,20 $2,95
Tipo de memoria Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 4 Mbit (4194 kbit)
Organización de memoria 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 16 / 512K x 8
Number of Words 128 K (x16 mode) —
Bits per Word 16 bits —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) —
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-TSOP I 48-TSOP I
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Interfaz Parallel Parallel
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Tensión de alimentación — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

Hojas de datos y recursos

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