M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FB55N3F2 por Micron Technology y M29F800FT55M3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,47 $2,10
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organización de memoria 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Tensión de alimentación 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Tipo de interfaz Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
Estado RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free suffix F2)
Tipo de memoria — Parallel NOR Flash
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Encapsulado — 44-pin SO (SOP)
Interfaz — Parallel, x8/x16 selectable
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

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