M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55N3F2 от Micron Technology и M29F800FT55M3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,47 $2,10
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Организация памяти 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Напряжение питания 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Тип интерфейса Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
Статус RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free suffix F2)
Тип памяти — Parallel NOR Flash
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Корпус — 44-pin SO (SOP)
Интерфейс — Parallel, x8/x16 selectable
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену